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FQA6N90的资料
FQA6N90详细
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
FQA6N90厂商
Fairchild Semiconductor
FQA6N90参数
包装:管件,系列:QFET™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):900V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.9 欧姆 @ 3.2A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1880pF @ 25V,功率 - 最大值:198W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3,供应商器件封装:TO-3P
FQA6N90供应商
深圳市安宇达电子科技有限公司
深圳市烨鑫微电子有限公司
广州市昊友电子科技有限公司
深圳市宇华科技有限公司
深圳市顾德顺电子有限公司
深圳市拍明芯城电子有限公司
北京金科利达电子科技有限公司
北京华威远航电子科技有限责任公司
深圳市赛明电子有限公司
深圳市睿尚致科技有限公司
深圳市世雄电子有限公司
深圳市益辉科技有限公司
深圳市鸿盛芯微科技有限公司
深圳以诚源电子有限公司
深圳市捷盛电子科技有限公司
深圳市科成威电子有限公司
深圳市金科电子商行
深圳市伟成微电子有限公司
深圳市捷盛电子有限公司
FQA6N90相关型号
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